The influence of microwave radiation to the electrophysical characteristic of AU-TIB –GAAS diode structure
Авторы
-
S.G Kaypnazarov
Nukus Branch of Tashkent University of Informarion Technologies
Ключевые слова: диодная структура, электрофизическая характеристика, микроволновые излуче- ния, деградационный механизм, внутреннее механическое напряжение (ВМН), СВЧ излучения, диоды Шоттки, радиус кривизны, планарная технология, параметр уширений
Аннотация
Библиографические ссылки
1. Bojkov V.G., Kashkan A.A., “Vliyanie krivizni’ kontakta metal-poluprovodnik s bar’erom Schottky na pryamuyu voltam- pernuyu xarakteristiku” Elektr.texn/ Ser/2/ Poluprovodnikovie pribori’. 1981, №7. P/12-18
2. Thkorik Yu.A., Khazan L.S., Plasticheskaya deformatsiya i dislokatsii nesootvetstviya v geteroepitaksial’ni’x sistemax. -Kiev: «Naukova dumka», 1983. 303- p.
3. Ismailov K.A., Konakova R.V., Tkhorik Yu.A., Khazan L.S. Effekti relaksacii vnutrenni’x napryanejii v generatorni’x SVCh diodax pod vliyaniem sil’ni’x electricheskix poley” Elektron.texn. Ser.2. Poluprovodnikovie pribori’. 1989. №5(202). P. 23-27.
4. Belyaev A.A., Belyaev A.E., Ermolovich I.B., Komirenko S.M., Konakova R.V., Lyapin V.G., Milenin V.V., Solov’ev E.A., Shevelev M.V. Vliyanie sverxvisokochachtotnoy obrabotki na elektrofizicheskie xarakteristiki texnicheski vajni’x poluprovodnikov i poverxnostno-bar’erni’x struktur. // JTF. 1998. T.68. Ed.12. 49-53-р.
5. Ismailov K.A., Kamalov A.B., Usenov B.U. Effekti’ v GaAs diodni’x structurax, voznikayushie pod vozdeystviem mikro- volnovogo izlucheniya. Materials of republican conference. –Nukus: 2011.
6. Ismailov K.A., Ismailov B.K., Kaypnazarov S.G. Relaksatsionni’e mexanizmi’ v poluprovodnikovi’x geterosistemax. Materials of republican conference. Mikroelektronika, nanozarralar fizikasi va texnologiyalari. –Andijon: 2015.