Карбидкремниевый детекторный диод Au-TiB (ZrB )-n-SiC 6H

Авторы

  • С.К Абдижалиев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Ключевые слова: барьер Шоттки, датчик мощности, карбид кремния, детекторные диоды

Аннотация

В этой работе представляется электрические параметры и характеристики микроволновых детекторных диодов Au-TiB (ZrB )-n-SiC 6H. Была изучена возможность использования этих диодов в качестве x x датчиков мощности для применения в широком диапазоне мощностей (включая мощность до 1 Вт).

Библиографические ссылки

1. Ivanov P.A., Chelnokov V.E. Recent developments in SiC single-crystal electronics. // Semicond. Sci. Technol. 1995, 7, 863-880.

2. Porter L.M., Davis R.F. A critical review of ohmic and rectifying contacts for silicon carbide. // Mater.Sci. Engeneer., 1995, B34, 83-105.

3. Hara S. The Schottky limit and a charge neutrality level found on metal. //6H-SiC interfaces. Surf. Sci. 2001, 494, L805-L810.

4. Strelchuk A.M., Savkina N.S., Kuznetsov A.N., Lebedev A.A., Tregubova A.S. // Characterization of p–n structures grown by sublimation heteroepitaxy of 3C-SiC on 6H-SiC. Mater. Sci. Engineer. 2002, B91, -Р.321-324.

5. Neudeck P.G. Progress towards high temperature, high power SiC devices, Institute of Physics Conf. Ser. 141: Compound Semiconductors 1994. –Р. 1-6.

6. Кудрик Я.Я., Абдижалиев С.К. Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов Шоттки TiB –n-6H SiС. // Известия вузов радиоэлектроника. x

7. Abdizhaliev S.K., Ismailov K.A., Kamalov A.B., Kudrik Ya.Ya. Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiB -GaAs (SiC 6H) surface-barrier structures. // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. x

8. Boltovets N.S., Zorenko A., Ivanov V.N., Vlaskina S.I., Konakova R.V., Kudrik Ya.Ya., Litvin P. M., Litvin O. S., Milenin V.V., Abdizhaliev S.K. Peculiarities of the formation and thermal stability of barrier contacts in high-sensitivity silicon carbide detector diodes// Technical Physics Letters, Volume 29, -P. 22–25, 2003.