Зависимость сопротивление растекания от диаметр микроплазмы, дифференциальное сопротивление растекания микроплазм и его распределения ряду Тейлора и решения систем функции методом Коши

Авторы

Ключевые слова: арсенид галлия (GaAs), микроплазма, дифференциальное сопротивление микроплазмы, сопротивление растекания, диаметр микроплазмы, концентрация свободных носителей заряда

Аннотация

Учитывая трехмерное распределение электрического поля движущихся носителей заряда, мы точно сформиро- вали сопротивление растекания. Сопоставление теоретических и экспериментальных значений показало, что предложенная модель хорошо согласуется с точными параметрами микроплазмы, исследования проводились на основе метода характеризации микроплазмы. Предложенная в данной работе расчет область значение сопротивлений растекания позволяет уточнить уравне- ния для диаметра микроплазмы.

Библиографические ссылки

1. Конакова Р.В, Кордош П., Тхорик Ю.А., Файнберг Ф.И., Штофаник Ф. Прогнозирование надёжности полупроводнико- вых лавинных диодов. -Киев: «Наукова думка», 1986, -С.188.

2. Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В. Микроплазмы в идеально однородных p – i – n структурах. //ФТП. 1990. Т.24, в 4, -С. 724 – 730.

3. Банная В.Ф., Никитина Е.В. Электрический пробой в чистом n- и p- Si. //ФТП. 2018. Т. 52, в3, -С.291-294.

4. Грехов В.И., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниковых, - Л.: «Энергия», 1980. -С.152.

5. Гярулайтие Д.А., Намаюнас А.М., Тамашявичене З.Н., Тамашявичюс А.В. Влияние радиационных дефектов на вероят- ность включения искусственных микроплазм в кремнии. //ФТП.1990. Т 24, в 3, -С. 564-565.

6. Викулин И.М., Новыков Л.Н., Прохоров В.А. Влияние облучения нейтронами на характеристики микроплазменного про- боя. // ФТП.1983, Т17, в6, -С.1054 – 1059.

7. Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Марченко И.Г. Характеристики электронно облученных p – n переходов в области ла- винного пробоя. //ФТП. 1994. Т28, в3, -С.478-481.

8. Mejnture Thery of microplasma instability in Silicon, J. Appl. phys., 1961, v.32, №6, -P. 31-43.

9. Василевский К.В. Расчёт динамических характеристик лавинно – пролетного диода на карбиде кремния. // ФТП.1992. Т26, в10, -С. 1775-1782.

10. Шашкина А.С., Ханин С.Д. Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя p – n перехода//ФТП.2019, Т53, в 6, -С.850-855.

11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М.: «Радио и связь» 1984, т.1, -С.455. Т.2, -С.455. ,

12. Файзуллаев В. А. Назарий физиканинг математик усуллари. –Тошкент: