ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ

Авторы

  • Юсупов Оралбай Наурызбаевич

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Ключевые слова: полупроводник, кремний, n-Si, эффекты термических воздействий, электрофизические свойства, легирование кремния Sm, Gd и Yb при выращивании, термическая обработка кремния

Аннотация

В статье говорится об изучениях электрофизических процессов, формирования глубоких уровней и механизмов взаимодействия с технологическими примесями (кислородом и углеродом), происходящих в результате высокотемпературной термической обработки монокристаллов кремния, легированных редкоземельными элементами, такими как самарий, гадолиний и иттербий. Образцы, выращенные методом Чохральского и легированные диффузией, изучались с помощью нейтронно-активационного анализа, ИК-спектроскопии, изотермической релаксации ёмкости и четырехзондовых методов.

Библиографические ссылки

1. Милнс Л. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – Москва: «Мир», 1977.

2. Бургуэн Ж. Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. – Москва: «Мир», 1984.

3. Соболев Н.А. Кремний, легированный эрбием - новый полупроводниковый материал для оптоэлектроники. – Москва: // Российский химический журнал, 2001, 5-6(XLV). – С. 95-101.

4. Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Особенности поведения в полях ядерной реакции кремния, легированного редкоземельными элементами. В. кн. Радиационное эффекты в твердых телах. – Киев: «Наукова думка», 1977. – С. 88-102.

5. Карпов Ю.А., Петров В.В., Просолович В.С. Фотопроводимость и электрические свойства Si, облученного γ-квантами 60Co. – Санкт-Петербург: // Физика и техника полупроводников, 1982, 9(16). – С.1676-1678.

6. Назыров Д.Э., Регель А.Р., Куликов Г.С. Кремний, легированный редкоземельными элементами: Препринт ЛФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР №1122. – Л.: 1987.

7. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. – Москва: «Физматлит», 2004.

8. Libertino S. The effects of oxygen and defects on the deep-level properties of Er in crystalline Si. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. №6. – P. 3867-3873.

9. Wong E., Liu H., Man Sh.Q. et al. Erbium doping in silicon by thermal in diffusion. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998, Vol. 37, № 6B. – P. 3669-3672.

10. Назыров Д.Э. Геттерирование золота самарием и гадолинием в кремнии. // Электронная обработка материалов, 2007, № 3(245). – С. 77–82.

11. Назыров Д.Э., Базарбаев М.И., Иминов А.А. Диффузия иттрия в кремнии. // Физика и техника полупроводников. 2006, Т. 40, Вып. 7. – С. 788-789.

12. Назыров Д.Э. Диффузия иттербия в кремнии. // Физика и техника полупроводников. 2003, Т. 37, Вып. 9. – С. 1056-1057.

13. Назыров Д.Э., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. Диффузия эрбия и тулия в кремнии. // Физика и техника полупроводников, 1991, Т. 25, Вып. 9. – С. 788-789.

14. Зайнабидинов С., Назыров Д.Э. Диффузия, растворимость и электрические свойства скандия и празеодима в кремнии. // Изв. вузов. Физика, 2007, № 1. – С. 75-77.