РЕКОНФИГУРАЦИЯ ЗАРЯДОВЫХ СОСТОЯНИЙ НА ИНТЕРФЕЙСНЫХ И ЕЁ ВЛИЯНИЕ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР МЕТАЛЛ–ДИЭЛЕКТРИК–ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Авторы

  • Маматкаримов Одилжон Охундедаевич

    Namangan State University image/svg+xml

  • Абдулхаев Аброрбек Абдуллохонович

    Namangan State University image/svg+xml

  • Фазлиддинов Салохиддин Бахриддинович

    Namangan State University image/svg+xml

  • Кучкаров Бехзод Хошимжонович

    Impuls Medical Institute image/svg+xml

Ключевые слова: структуры металл–диэлектрик–полупроводник, интерфейсные состояния, ловушки заряда, гистерезис ёмкость–напряжение, напряжение плоских зон, релаксация заряда, энергия активации, кинетика обмена зарядом, локальный потенциальный рельеф, реконфигурация интерфейсных состояний

Аннотация

В работе проанализированы физические механизмы неидеальных электрических явлений в структурах металл–диэлектрик–полупроводник (МДП). Исследование основано на кинетических свойствах зарядовых состояний на границе раздела и в приповерхностном слое диэлектрика. Показано, что внешние воздействия модифицируют локальный потенциальный рельеф вблизи интерфейса и перераспределяют кинетику зарядообмена без образования новых дефектов. Установлено, что электрический отклик МДП-структур определяется внутренней кинетической динамикой интерфейсных состояний.

Библиографические ссылки

1. Fleetwood D.M. Border traps in MOS devices. // IEEE Transactions on Nuclear Science, 62(4), 2015. –P. 1462-1486.

2. Grasser T., et al. The universality of charge trapping in oxides. // Microelectronics Reliability, 52(1), 2012. –P. 39-70

3. Kuchkarov B., Mamatkarimov O., and Abdulkhayev A. Influence of the ultrasonic irradiation on characteristics of metal–glass–semiconductor structures. // IOP Conference Series: Earth and Environmental Science, vol. 614, Art. №012027, 2020.

4. Mamatkarimov O.O., Kuchkarov B.H., Sharibaev N.Yu., Abdulkhayev A. A. Influence of the ultrasonic irradiation on characteristic of the structures metal–glass–semiconductor. // European Journal of Molecular and Clinical Medicine, vol. 8, no. 1, 2021.

5. Kuchkarov B.K., Mamatkarimov O.O., Abdulkhayev A.A. Relaxation dependence of the capacity of a three-layer structure in the process of charge formation of an inversion layer. // Scientific Bulletin of Namangan State University, vol. 1, №6, 2019. – P. 26-33.

6. Kuchkarov B., Abdulkhayev A. Factors providing the efficiency of semiconductor lasers. // Scientific Bulletin of Namangan State University, vol. 3, №5, 2021. – P. 48-52.