MARGANEC KIRISPE ATOMLARÍNÍŃ KLASTERLERINE IYE KREMNIYDIŃ TIYKARǴÍ PARAMETRLERINE BASÍMNÍŃ TÁSIRIN ÚYRENIW

Авторы

  • Tursınbaev S.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Ключевые слова: марганец, кремний, легирование, диффузия, давление, чувствительность

Аннотация

В данной статье экспериментально исследовано влияние внешнего давления на электрофизические свойства кремния, легированного марганцем. Диффузия атомов марганца проводилась в образцах монокристаллического кремния p-типа. Полученные результаты показали, что наличие кластеров марганца способствует высокой тензочувствительности материала. Данный материал является перспективным для создания высокочувствительных тензодатчиков.

Библиографические ссылки

1. Еремеев Ю.А., Воробьев М.Г., Гращенко А.С., Семенча А.В., Осипов А.В., С.А.Кукушкин. Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. // Физика твердого тела, 2023, том 65, вып. 1. -С. 71-75.

2. Баринов И.Н., Волков В.С. Высокотемпературные полупроводниковые датчики давления с повышенной временной стабильностью. // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2011, 8. -С. 51-55.

3. Илиев Х.М., Камалов А.Б., Турсынбаев С.А. Кремний с нанокластерами атомов марганца – новый материал для тензодатчиков. // «Fan va jamiyat». № 4, -С.7–9. 2020.

4. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019, Т. 1, вып. 4, -С.62-67.

5. Камалов А.Б., Турсынбаев С.А., Артыкова С.Т. Влияние освещения на тензочувствительность кремния, легированного марганцем. // Science and world. 2023, 3 (115), -С.12–14.

6. Камалов А.Б., Жалелов М.А., Турсынбаев С.А. Тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. // «Fan va jamiyat» № 1, - С.18–20. 2023.

7. Tursinbaev S.A. Influence of Illumination and Temperature on Tenso Properties of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms. // Semiconductors. 2022, Vol. 56, №. 6. -P. 407–410.

8. Kamalov A.B., Khamdamov J.J., Saparov F.A., Tursinbaev S.A. Influence of pressure on the electrical characteristics of silicon and dielectric coating. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2022, Т. 4, вып. 1, -С. 30-36.

9. Muratov A.S., Kamalov A.B., Tursinbaev S.A. Installations for studying the strain properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms. // Science and Education in Karakalpakstan. 2021, 2 (17), -P. 4–7.

10. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Исамов С.Б., Тачилин С.А. Разработка установки для изучения влияния электрического поля, температуры и освещения на параметры полупроводникового материала в условиях локального давления. // Приборы. 2022, 1 (259). -С. 19–22.

11. Kamalov A.B., Tursinbaev S.A., Iliyev Kh.M., Shoabdurakhimova M.M. Influence of lighting on tenso-sensitivity of silicon doped with manganese. // Scientific-technical journal (Fergana). 2020, Vol. 3, №. 5. -P. 45-47.

12. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si. // Письма в «Журнал технической физики», 1998, Т. 24, вып. 22, -С. 23-28.

13. Телегин А.М., Калаев М.П., Сёмкин Н.Д. Обзор исследований проводимости диэлектриков и полупроводников под высоким давлением. // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета. 2011, 7(31), -С. 97-106.

14. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019, Т. 1, вып. 4, -С. 62-67.