NOTT VA DE-MASSA NAZARIYASIGA ASOSAN TUNNEL DIODINING OʻTISH VAQTINI HISOBLASH

Авторы

  • Oʻktamova M.K.

    Namangan muhandislik-qurilish instituti

  • Mamatshoyev A.A.

    Namangan muhandislik-qurilish instituti

Ключевые слова: теория Нотта и Де-Масса, диффузионная емкость, время включения туннельного диода

Аннотация

На основе теории Нотта и Де-Масса была рассчитана зависимость туннельного диода от диффузионной емкости и пикового тока в туннельном диоде. Кроме того, было замечено, что пиковое значение напряжения и минимальное значение напряжения, генерируемое в туннельном диоде, также влияют на время включения туннельного диода. Теоретически получена зависимость туннельного диода от времени включения туннельного диода по отношению пикового значения тока к значению тока в самой низкой точке туннельного диода и проверена степень согласия с экспериментальными результатами.

Библиографические ссылки

1. Fistul I., Shvarts N.Z. Uspekhi Physicheskikh Science 77, 109-160.(1962).

2. Berger P.R. Negative differential resistance devices and circuits//Comprehensive Semiconductor Science and Technology. 2011, -P. 176-241.

3. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. // John Wiley & Sons, Inc. 2007, 3, -P. 418-480.

4. Aliyev K.M, Kamilov IK, Ibragimov X.O, Abakarova N.S. Pisma JTF, 37, 42.2011. -P. 809-813.

5. BergerP.R., GulyamovG., DadamirzaevM.G., UktamovaM.K., BoidedaevS.R.2024. Romanian journal of physics.

6. Dashiell M.W., Kolodzey J., Crozat P., Aniel F., Lourtioz J.M. Microwave properties of silicon junction tunnel diodes grown by molecular beam epitaxy//IEEE Electron Device Lett., 2002.

7. Yan Y. Silicon-based tunnel diode technology.//Silicon-Based Tunnel Diode Technology (researchgate.net),2008.

8. Pawlik J. Development of Tunnel Diode Devices and Models for Circuit Design and Characterization//Dissertation for Doctor of Philosophy in Microsystems Engineering, Rochester Institute of Technology. 2007, -P.1-96.https://scholarworks.rit.edu/theses.

9. Demassa T. A., Knott D. P. The prediction of tunnel diode voltage-current characteristics//Solid State Electron. 1970, vol. 13, -P. 131-138.

10. Lotfi M., Zohir D.A Spice Behavioral Model of Tunnel Diode. // Simulation and Application. International Journal of Control and Automation. 2016, Vol. 9.