KISLORODLI MONOKRISTALLI KREMNIYNI RENTGENOSTRUKTURAVIY OʻRGANISH

Авторы

  • Sh.A.Maxmudov

    Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Yadro fizikasi instituti

  • Jurayeva M.F.

    Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Yadro fizikasi instituti

  • Jalelov M.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Odilova N.J.

    Karshi State University image/svg+xml

Ключевые слова: монокристалл, кремнии, микродефекты, концентрация кислорода, рентгенограмма, неоднородность

Аннотация

В статье исследованный монокристаллические кремния имеющие совершенную структуру с параметрами решетки 0,54292 нм и субкристаллитами размерами 94 нм и определеный образования низкоразмерных дефектов, состоящих с участием кислородов, в кремний выращенных по методу Чохральского.

Библиографические ссылки

1. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. // Под ред. С. Н. Горина, пер. с англ. –М.: «Мир», 1984. – С. 475.

2. Ташметов М.Ю., Каланов М., Махкамов Ш., Умарова Ф.Т., Саттиев А.Р., Эрдонов М.Н., Холмедов Х.М. Медь кислородные нанокристаллиты в монокристаллах кремния, легированных медью // Узбекский физический журнал. –Ташкент: 2018, Т.20, №2, -С. 90-97.

3. Newman R.S., Binns M.J., Brown W.P., Livingston F.M., Messoloras S., Stewart R.J., Wilkes J.G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B. 1983. Vol.116, №1-3. -P. 264 -270.

4. Таиров Ю.М., Цветнов В.Ф. Технология полупроводникавых и диэлектрических материалов. «Высшая школа», 1990. –С.423.

5. Горелик C.C., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронноптический анализ. // Практическое руководство по рентгенографии, электронографии и электронной микроскопии металлов, полупроводников и диэлектриков. –Москва: “Металлургия”. 1970. 2-еизд., -С.366.

6. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. –Киев: Interpres LTD, 1997. –С. 240.