ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА КОЭФФИЦИЕНТА НЕИДЕАЛЬНОСТИ ВАХ ДИОДА

Авторы

  • Гулямов Г.

    Наманганский инженерно-строительный институт

  • Умаров К.Б.

    Наманганский инженерно-строительный институт

  • Мухитдинова Ф.Р.

    Наманганский инженерно-строительный институт

  • Солиев А.З.

    Наманганский инженерно-строительный институт

Ключевые слова: магнитодиод, магнитное поле, неравновесный носитель заряда, высота потенциального барьера, диффузионная длина, напряжения Холла, магнитосопротивления

Аннотация

Проведён расчет влияния магнитного поля на коэффициенте неидеальности вольт-ампер характеристики. Установлено что, в результате инжекции в магнитодиоде образования неравновесных носителей заряда приводит к увеличению высоты потенциального барьера и уменьшению концентрации носителей заряда. Это уменьшает ток проходящий через диод, увеличивает сопротивление базы и приводит изменению коэффициета неидеальности ВАХ диода.

Библиографические ссылки

1. O‗zbekiston Respublikasi Prezidentining 2022-yil 22-avgustdagi ―2022-2023-yillarda axborot-kommunikatsiya texnologiyalari sohasini yangi bosqishga olib chiqish chora-tadbirlari to‘g‘risida‖gi PQ-357- sonli Qarori.

2. Donald Clark. Plan B: MOOCs: taxonomy of 8types of MOOC, 2013.

3. E-learning MOOCs 'can have separate goals'/URL: (02. 10. 2015)

4. Tony Bates. What is a MOOC?URL: http://www.tonybates.ca/2014/10/12/-what-is-a-mooc/

5. http://www.coursera.org

6. http://www.udacity.com