ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ НИКЕЛЕМ И МАРГАНЦЕМ НА КОНЦЕНТРАЦИЮ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ

Авторы

  • Илиев Х.М.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Турсунов М.О.

    Термезский государственный университет

  • Исамов С.Б.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Ковешников С.В.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Ключевые слова: монокристалл, кремний, диффузия, никель, марагнец, Фурье-спектромерт

Аннотация

Было показано, что электрические свойства кремния, содержащего бинарные нанокомплексы, отличаются от свойств обычных полупроводников, в том числе кремния, легированного различными примесных атомами, с оптическими и электрическими свойствами. Сообщалось, что нанокомплексы, которые образуют кремний, когда марганец и никель вводятся при высоких температурах, влияют на оптически активный кислород. Полученные результаты показывают, что легирование марганца и никеля способствуют уменьшению концентрация оптически активного кислорода.

Библиографические ссылки

1. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В., Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках – новый к формированию свойств материалов. Обзор // Физика и техника полупроводников. -Россия, 1998. Т.32. Вып 5. -С. 513-522.

2. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov K.S., Saparniyazova Z.M., and Tachilin S.A. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2011. Vol. 47, №. 5, -Р. 479-483.

3. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Тursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Semiconductors, 2021, Vol. 55, №. 6, -Р. 636–639.

4. Iliev Н.M., Tursunov M.O., Koveshnikov S.V., Z.B. Research of properties of silicon with binary nanoclusters with participation of Mn and Se atoms // Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020. Vol. 2, №. 2, -Р. 53-58.

5. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Куликов Г.С, Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Диффузионная профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода. // 1994. T. 28. вып. 1. -C.86-90.

6. Бабич М.Б., Белецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. // Киев. 1997.

7. Утамуродова Ш.Б., Эргашев Р.М., Матжонов Х.Ж. ИК-спектроскопия кремния, легированного оловам и марганцам. // Физика и полупроводников и микроэлектроника. -Тошкент: 2019. Т. 1. вып. 1. -С. 27-31

8. Kazuhisa Torigoe, Toshiaki Ono. Formation of thermal donor enhanced by oxygen precipitation in silicon crystal // Journal of Applied Physics. 2020. Vol. 10, №. 045019, -Р. 1-5.

9. Bakhadirkhanov M.K., Iliev Kh.M., Tursunov M.O., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., Majitov M.Kh. Electrical Properties of Silicon Doped with Manganese via High-Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2021. Vol. 57, №. 7, -Р. 655-662.

10. Ismailov K.А, Iliev X.M, Tursunov M.O, Ismaylov B.K. Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24, №. 3, -P. 255–260.