DIFFUZIYA USULI BILAN LEGIRLANGAN KREMNIYDA RUX VA SELEN ATOMLARINI ELEKTROFIZIK XUSUSIYATLARINI TAHLIL QILISH

Авторы

  • Tursunov O.B.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Ключевые слова: диффузия, рентгенофазовый анализ, кремний, селен, цинк, рельеф, соединения, нанокристалл, рефлекс, кластер, структура

Аннотация

Существующие в настоящее время технологические методы получения полупроводниковых материалов для разработки эффективных фотоэлементов с максимальным КПД и стабильными электрофизическими параметрами практически достигли своего предела. Для дальнейшего повышения основных параметров фотоэлементов необходимо использовать нетрадиционные свойства полупроводниковых материалов или требует обнаруженные новых физических явления. Современное развитие микро- и оптоэлектроники вызывает интерес к синтезу новых материалов в том числе и на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6. Поскольку ширина запрещенной зоны и постоянная решетки таких соединений меняются в определенных пределах, в зависимости от концентрации примесных атомов которые влияет на фундаментальных параметрах таких материалов. На их основе можно синтезировать полупроводниковые материалы с широким диапазоном электрических и фотоэлектрических свойств, а также сверхрешетки с квантовыми точками.

Библиографические ссылки

1. Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Валиев С.А. // Физика и техника полупроводников, том 56, вып. 2 (199-203). 2022.

2. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Илиев Х.М. и др. 2014. // Гелиотехника. №2. -С.3-6

3. Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. 2001. // Materials chemistry and physics., V.68, p.1-6.

4. Зикриллаев Н.Ф., Турсунов О.Б., Курбоналиев К.К., Шоабдурахимова М.М. // Физика полупроводников и микроэлектроника, том 2, вып. 2, -С. 15-19. 2020.

5. Саидов А.С., Кутлимуратов А., Сапаев Б., Давлатов У.Т. // Письма в ЖТФ, 27 (8), 265, 2001.