ДИФФУЗИОН ТЕХНОЛОГИЯ БИЛАН GexSi1-x АСОСИДА ГЕТЕРО ВА ВАРИЗОН СТРУКТУРА ҲОСИЛ ҚИЛИШ ВА УНИНГ ОПТИК ХУСУСИЯТЛАРИНИ ЎРГАНИШ

Авторы

  • Зикриллаев Н.Ф.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Кушиев Ғ.А.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Турсунов О.Б.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Ҳамроқулов Ш.И.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Ключевые слова: гетеро и варизонные структуры, диффузия, температура, датчик, фотоэлемент

Аннотация

Разработка и создание фотоэлементов на основе GexSi1−x структур, также представляет очень интересное внимание. Так как получение таких структур на основе с определенными параметрами и структурной позволяет существенно расширить спектральную область чувствительности и позволяет создание новых типов фотоприемников, датчиков и фотоэлементов.

Библиографические ссылки

1. Hu W. et al. Nature Materials 13, 705 2014.

2. Mitrano M. et al.. Nature 530, 461 2016.

3. Kornilovitch P. Int.J.Mod.Phys. B 30, 1650105 2016.

4. Grifoni M. and Hänggi P. Physics Reports 304, 299. 1998.

5. Alexandrov A.S. and Yavidov B. Ya. Phys. Rev. B 69, 073101. 2004.

6. B.Ya.Yavidov et al.. Physica B 407, 2490. 2012.

7. F.Großmann et al.. Z.Phys. B – Condensed Matter 84, 315. 1991.

8. H.J.Korsch and M.Glück. Eur.J.Phys. 23, 413. 2002.