ДЕГРАДАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПОСЛЕ СВЧ ОТЖИГА В ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Au–TiBx–SiC 6H

Авторы

Ключевые слова: диодная структура, деградация, микроволновое излучение

Аннотация

В статье показаны деградационные процессы после микроволновой обработки в диодных структурах.

Библиографические ссылки

1. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Киселов В.С., Конакова В.С., Лебедов А.А., Миленин В.В., Охрименко О.Б., Поляков В.В., Светличный А.М., Чередниченко Д.И. Карбид кремния: технология, свойства, применение. - Харьков: «ИСМА». 2010. -С. 532.

2. Болтовец Н.С., Камалов А.Б., Колядина Е.Ю., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Матвеева Л.А., Миленин В.В., Ренгевич А.Е.. Релаксация внутренних механически напряжений в арсенид галлиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой. Письма в ЖТФ, 2002, том 28, выпуск. 4. 26 февраля

3. Абдижалиев С.К., Кудрик Я.Я. Влияние микроволнового излучения на электрофизические свойства диодов с барьером Шоттки Au-TiBx (ZrBx)-n-SiC6H. // XIV Международное совещание «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, Украина, 2004). -С. 439- 444.

4. Абдижалиев С.К., Кудрик Я.Я. Электрофизические свойства диодов Шоттки под воздействием микроволнового излучения. //Петербургский журнал электроники. 2004, № 2, -С. 48-52.

5. Абдижалиев С.К., Исмаилов К.А. Влияние быстрых термических и микроволновых обработок на величину контактного сопротивления в структурах Ni-n-SiC // Материалы третьей международной конференции, посвященной 15-летию Независимости Узбекистана «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» (Ташкент, Узбекистан, 2006 г.) -С.151-152.

6. Исмаилов К.А, Конакова, П.М, Абдижалиев С.К,Отениязов Е. Физико-технологические аспекты формирования приборных структур на карбиде кремния (Обзор). // «ВЕСТНИК» КГУ им. Бердаха. 2009. № А.Е.3. -С. 12-17.

7. Исмаилов К.А, Конакова, П.М, Абдижалиев С.К,Отениязов Е. Физико-технологические аспекты формирования приборных структур на карбиде кремния (Обзор). ВЕСТНИК КГУ им. Бердаха. 2009. № 4. -С. 3-5.

8. Исмаилов К.А., Абдреймова Г.Р., Сейтимбетова Г.А., Косбергенов Е.Ж. Влияние внешних воздействий на электрические характеристики карбидокремниевых диодных структур с барьером Шоттки TiBx(ZrBx) – n-SiC 6H. // «Вестник» 2016. № 4. -С. 3-6.

9. Абдижалиев С.К., Исмаилов К.А. Отениязов Е. Влияние микроволновой обработки на параметры диодов Au-TiBx – n-SiC 6H. Материалы 2-международной конференции «Неравновесные процессы в полупроводниках и в полупроводниковых структурах», 12-14 ноября, 2009. Ташкент.