THE INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION TO THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF AU-TIB X –GAAS DIODE STRUCTURE

Авторы

  • Kaypnazarov S.G.

    Nukus Branch of Tashkent University of Informarion Technologies

Ключевые слова: диодная структура, электрофизическая характеристика, микроволновые излучения, деградационный механизм, внутреннее механическое напряжение (ВМН), СВЧ излучения, диоды Шоттки, радиус кривизны, планарная технология, параметр уширений

Аннотация

Структура диода AU-TiBx-GaAs определила улучшение параметров структур микроволновых излучений на промежутке времени 0-20 с и времени влияния. В результате воздействия микроволн была показана отраслевая температурная устойчивость данных диодовых структур. Под воздействием этих факторов были определены изменения внешнего радиуса кривизны.

Библиографические ссылки

1. Bojkov V.G., Kashkan A.A., “Vliyanie krivizni’ kontakta metal-poluprovodnik s bar’erom Schottky na pryamuyu voltampernuyu xarakteristiku” Elektr.texn/ Ser/2/ Poluprovodnikovie pribori’. 1981, №7. P/12-18

2. Thkorik Yu.A., Khazan L.S., Plasticheskaya deformatsiya i dislokatsii nesootvetstviya v geteroepitaksial’ni’x sistemax. -Kiev: «Naukova dumka», 1983. 303- p.

3. Ismailov K.A., Konakova R.V., Tkhorik Yu.A., Khazan L.S. Effekti relaksacii vnutrenni’x napryanejii v generatorni’x SVCh diodax pod vliyaniem sil’ni’x electricheskix poley” Elektron.texn. Ser.2. Poluprovodnikovie pribori’. 1989. №5(202). P. 23-27.

4. Belyaev A.A., Belyaev A.E., Ermolovich I.B., Komirenko S.M., Konakova R.V., Lyapin V.G., Milenin V.V., Solov’ev E.A., Shevelev M.V. Vliyanie sverxvisokochachtotnoy obrabotki na elektrofizicheskie xarakteristiki texnicheski vajni’x poluprovodnikov i poverxnostno-bar’erni’x struktur. // JTF. 1998. T.68. Ed.12. 49-53-p.

5. Ismailov K.A., Kamalov A.B., Usenov B.U. Effekti’ v GaAs diodni’x structurax, voznikayushie pod vozdeystviem mikrovolnovogo izlucheniya. Materials of republican conference. –Nukus: 2011.

6. Ismailov K.A., Ismailov B.K., Kaypnazarov S.G. Relaksatsionni’e mexanizmi’ v poluprovodnikovi’x geterosistemax. Materials of republican conference. Mikroelektronika, nanozarralar fizikasi va texnologiyalari. –Andijon: 2015.