Технология формирования кластеров атомов нике- ля в решетке кремния

Авторы

  • 3 7-δ Сапарниязова З.М 2

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • К.А Исмайлов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Т.Б Исмайлов

  • Б.С Алланиязова

    Karakalpak State University image/svg+xml

Ключевые слова: кремний, примесный кластер, формирование, диффузия, скорость охлаждение, никель, наноструктура, коэффициент диффузия, плотность кластеров

Аннотация

В работе oбнаружено, что с ростом температуры отжига и скорости охлаждении наблюдается увеличение плот- ности и уменьшение размеров кластеров. Установлено, что с изменением температуры отжига от T=1100 0С до 1250 0С плотность кластеров увеличивается почти на 1-1,5 порядка, а их размер уменьшается в 56 раз. Нам кажет- ся для получения кластеров с воспроизводимыми параметрами оптимальной скоростью охлаждения является 200300 0С/с.

Библиографические ссылки

1. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. –М.: Ком Книга, 2006. -С.592.

2. Абдурахманов Б.А., Илиев Х.М., Сапрниязова З.М., Саттаров О.Э. Термодинамические условия формирова- ния кластеров атомов никеля в решетке кремния. Узбекский физический журнал. –Ташкент: 2011. –В vol.13(№5). – С.341-344.

3. Зайнабидинов С. З., Тургунов Н. А. Некоторые закономерности распределения атомов основных и техноло- гических примесей по объёму приципитата в монокристаллах кремния, легированного никелем. // Узб. Физ. жур. – Ташкент: 2003. –T. 5. №5-6. -C. 371-374.

4. Bakhadyrkhanov G.K.H. Mavlonov, S.B.Isamov, Kh.M.Iliev, K.S.Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin// Transport properties of silicon doped with manganese via low temperature diffusion. Neorganicheskie Materialy, 2011, Vol. 47, No 5, pp. 545-550.

5. Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Аюпов К.С., Исамов С.Б.. Отрицательное магнитосопротивление в Mn кремнии с комплексами атомов марганца 4// ФТП, 2010, Т. 44, №9, -С. 1181-1184.

6. Bakhadyrkhanov M. K., Mavlyanov A. Sh., Sodikov U. Kh., Khakkulov M. K. // Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics. Applied Solar Energy, 2015, Volume 51, Issue4, pp. 258– 261.

7. Saparniyazova Z.M., Bakhadyrkhanov M.K., Sattarov O.E., Iliev Kh.M. Ismailov K.A., Norkulov N., and Asanov D.Zh // Interaction between multiply charged manganese nanoclusters// Inorganic materials, Moscow 2012, Vol. 48, No. 4, pp. 325-328.

8. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках-новый подход к формированию свойств материалов. // Физика и техника полупроводников. -Санкт–Петербург: 1998. Т. 32. – С. 513-522.

9. Iliev Kh. M., Saparniyazova Z. M., Ismailov K. A., Sattarov O. E., Nigmonkhodzhaev S «Interaction of radiation defects with nickel atom clusters in silicon» Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2011. №5, pp. 12-14.