Статистика рекомбинации неравновес- ных носителей для полупроводников с парными рекомбинационными комплексами, активность которых снижается в процес- се возбуждения - Лейдерман, А.Ю; Рахмонов, У.Х; Утениязов, А.К; Уктамова, М.К; Нсанбаев, М.Т (ILIM hám JÁMIYET, 2020)
В статье рассчитана скорость рекомбинации неравновесных носителей для модели полупроводника с парным рекомбинационным комплексом, активность которого снижается в процессе возбуждения. Показано, что зависимость коэффициента захвата электрона на первый уровень от заполнения второго уровня приводит к убыванию скорости рекомбинации даже в случае малой инерционности про- цессов рекомбинации, когда выражение для скорости рекомбинации сходно с классической зависимостью Шокли-Рида.