ВЛИЯНИЕ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ZnTe/GaAs

Avtorlar

  • Шарибаев Мурат Борибаевич

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Юсупов Оралбай Наурызбаевич

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Каландарова Шахноза Кувондиковна

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Gilt sózler: эпитаксиальные пленки, монослой, кристаллическая решетка, фотолюминесценция, фотовозбуждение

Annotaciya

Методом фотолюминесценций определены излучательные спектры глубоких уровней эпитаксиальных пленок ZnTe/(001) GaAs с различными толщинами выращенных методом МПЭ. По сдвигу энергии пиков ФЛ рассчитано изменение профиля ям в результате облучения. Обсуждается роль диффузии GaAs и внутренних напряжений в радиационно-стимулированной деградации квантово-размерных структур.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Petruzzello J., Olego D.J., Chu X., Faurie J.P. Transmission electron microscopy of (001)ZnTe on (001)GaAs, grown by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., v. 63, №5, 1988. – P.1783-1785.

2. Guha S., DePuydt J.M., Haase M.A., Qiu J., Cheng H. Degradation of II-VI based blue-green emitters. // Appl. Phys. Lett., Vol. 63, №23, 1993. – P. 3107-3109.

3. Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций - источники дислокационного поглощения и излучения в полупроводниковых кристаллах AIIBVI”. // ФТП, Т. 32, №6, 1998. – С. 646-653.

4. Негрий В.Д. Пьезоспектроскопия излучения винтовых дислокаций. // ФТТ, Т. 34, №8, 1992. – С. 2462-2471.

5. Kumazaki K., Iida F., Ohno K., Hatano K., Imai K. Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs, J.Cryst. Growth, vol.117, 2009. – P. 285-289.