MARGANEC KIRISPE ATOMLARÍNÍŃ KLASTERLERINE IYE KREMNIYDIŃ TIYKARǴÍ PARAMETRLERINE BASÍMNÍŃ TÁSIRIN ÚYRENIW

Avtorlar

  • Tursınbaev S.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Gilt sózler: manganese, silicon, doping, diffusion, pressure, sensitivity

Annotaciya

This article experimentally investigates the effect of external pressure on the electrophysical properties of manganese-doped silicon. The diffusion of manganese atoms was carried out in p-type monocrystalline silicon samples. The results indicate that the presence of manganese clusters enhances the material's high strain sensitivity. This material is considered promising for the development of high-sensitivity strain sensors.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Еремеев Ю.А., Воробьев М.Г., Гращенко А.С., Семенча А.В., Осипов А.В., С.А.Кукушкин. Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. // Физика твердого тела, 2023, том 65, вып. 1. -С. 71-75.

2. Баринов И.Н., Волков В.С. Высокотемпературные полупроводниковые датчики давления с повышенной временной стабильностью. // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2011, 8. -С. 51-55.

3. Илиев Х.М., Камалов А.Б., Турсынбаев С.А. Кремний с нанокластерами атомов марганца – новый материал для тензодатчиков. // «Fan va jamiyat». № 4, -С.7–9. 2020.

4. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019, Т. 1, вып. 4, -С.62-67.

5. Камалов А.Б., Турсынбаев С.А., Артыкова С.Т. Влияние освещения на тензочувствительность кремния, легированного марганцем. // Science and world. 2023, 3 (115), -С.12–14.

6. Камалов А.Б., Жалелов М.А., Турсынбаев С.А. Тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. // «Fan va jamiyat» № 1, - С.18–20. 2023.

7. Tursinbaev S.A. Influence of Illumination and Temperature on Tenso Properties of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms. // Semiconductors. 2022, Vol. 56, №. 6. -P. 407–410.

8. Kamalov A.B., Khamdamov J.J., Saparov F.A., Tursinbaev S.A. Influence of pressure on the electrical characteristics of silicon and dielectric coating. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2022, Т. 4, вып. 1, -С. 30-36.

9. Muratov A.S., Kamalov A.B., Tursinbaev S.A. Installations for studying the strain properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms. // Science and Education in Karakalpakstan. 2021, 2 (17), -P. 4–7.

10. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Исамов С.Б., Тачилин С.А. Разработка установки для изучения влияния электрического поля, температуры и освещения на параметры полупроводникового материала в условиях локального давления. // Приборы. 2022, 1 (259). -С. 19–22.

11. Kamalov A.B., Tursinbaev S.A., Iliyev Kh.M., Shoabdurakhimova M.M. Influence of lighting on tenso-sensitivity of silicon doped with manganese. // Scientific-technical journal (Fergana). 2020, Vol. 3, №. 5. -P. 45-47.

12. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si. // Письма в «Журнал технической физики», 1998, Т. 24, вып. 22, -С. 23-28.

13. Телегин А.М., Калаев М.П., Сёмкин Н.Д. Обзор исследований проводимости диэлектриков и полупроводников под высоким давлением. // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета. 2011, 7(31), -С. 97-106.

14. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019, Т. 1, вып. 4, -С. 62-67.