ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ
Avtorlar
Gilt sózler: эпитаксиальные пленки, легирование, фотолюминесценция, интенсивность
Annotaciya
В статье приведены результаты выращивания эпитаксиальных слоев кремния, легированных эрбием, с использованием двух разных режимов роста: обычной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и твердофазной эпитаксии (ТФЭ). Показано, что легированный эрбием слой кремния при его осаждении методом ТФЭ на холодную подложку и после отжига проявляется более интенсивную полоса фотолюминесценции на длине волны 1.54µm.
Paydalanılǵan ádebiyatlar
1. Н.А. Соболев. ФТП29, 1153 (1995).
2. A.Polman.J.Appl.Phys.82,1(1997).
3. Y.Ho Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys.70, 1153 (1991).
4. H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackmann et al. Semicond. Sci. Technol.8, 236 (1993).
5. R. Serna, M. Lohmeier et al. Appl. Phys. Lett.66, 1385 (1995).
6. V.G. Zavodiskii, A.V. Zotov. Phys. Stat. Sol.(a). 72, 391 (1982).
7. С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ4, 141 (2000).
8. H. Przybylinska et al. Phys. Rev. B54, 2532 (2017).
9. I.G. Kaverina, V.V. Korobtsov, V.G. Lifshits. Thin Sold Films 177, 101 (2020).
10. C.W. Nogee, J.C. Bean, C. Foti, J.M. Poate. Thin Sold Films 81,1(2021).