KISLORODLI MONOKRISTALLI KREMNIYNI RENTGENOSTRUKTURAVIY OʻRGANISH

Avtorlar

  • Sh.A.Maxmudov

    Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Yadro fizikasi instituti

  • Jurayeva M.F.

    Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Yadro fizikasi instituti

  • Jalelov M.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Odilova N.J.

    Karshi State University image/svg+xml

Gilt sózler: monokristall, kremniy, mikronuqsonlar, kislorod konsentratsiyasi, rentgenografiya, bir xilmaslik

Annotaciya

Maqolada mukammal tuzilishga ega boʻlgan panjara parametrlari 0,54292 nm boʻlgan monokristalli kremniy va oʻlchami 94 nm boʻlgan subkristallitlar oʻrganilgan va Czochralski usuli bilan oʻstirilgan kremniyda kislorod ishtirokidan iborat kichik oʻlchamli nuqsonlar hosil boʻlishi aniqlangan.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. // Под ред. С. Н. Горина, пер. с англ. –М.: «Мир», 1984. – С. 475.

2. Ташметов М.Ю., Каланов М., Махкамов Ш., Умарова Ф.Т., Саттиев А.Р., Эрдонов М.Н., Холмедов Х.М. Медь кислородные нанокристаллиты в монокристаллах кремния, легированных медью // Узбекский физический журнал. –Ташкент: 2018, Т.20, №2, -С. 90-97.

3. Newman R.S., Binns M.J., Brown W.P., Livingston F.M., Messoloras S., Stewart R.J., Wilkes J.G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B. 1983. Vol.116, №1-3. -P. 264 -270.

4. Таиров Ю.М., Цветнов В.Ф. Технология полупроводникавых и диэлектрических материалов. «Высшая школа», 1990. –С.423.

5. Горелик C.C., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронноптический анализ. // Практическое руководство по рентгенографии, электронографии и электронной микроскопии металлов, полупроводников и диэлектриков. –Москва: “Металлургия”. 1970. 2-еизд., -С.366.

6. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. –Киев: Interpres LTD, 1997. –С. 240.