ТАШКИЛОТДА ЭЛЕКТРОН ҲУЖЖАТ АЙЛАНИШ ТИЗИМИНИ ЖОРИЙ ҚИЛИШ ТАЛАБЛАРИ ВА НАТИЖАЛАРИ ТАҲЛИЛИ
Avtorlar
Gilt sózler: ахборот тизимлари, электрон ҳужжат айланиши тизими, корпоратив тармоқ, сервер, компьютер, операцион тизим, техник таъминоти, автоматлашган ишчи ўрин, самарадорлик
Annotaciya
Paydalanılǵan ádebiyatlar
1. Лебедев А.И. Физика полупроводниковıх приборов. -М.: ―Физматлит‖, 2008. –С.458-488.
2. Кросс А. Введение в практическую инфракрасную спектроскопию. - М.: 1961. -С.57 - 62.
3. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Учебное пособие по дисциплине: ―Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и радиоэлектронных устройств‖, Московский государственный институт электроники и математики (технический университет), -Москва:1998.
4. Смирнов Л.С. Вопросы радиационной технологии полупроводников. -Новосибирск: ―Наука‖, 1980. -С. 20.
5. Рейви К. Дефектı и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с анг., -М.: «Мир», 1984. –С. 471.
6. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. - Киев: ―Наукова думка‖, 1974.
7. Литвинов В.В., Мурин Л.И., Линдстром Дж.Л., Маркевич В.П., Петух А.Н. Локальные колебательные моды комплекса кислород--вакансия в германии. //ФТП, 2002, Т. 36, выпуск 6. –С. 658-661.
8. Мурин Л.И., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Dobaczewski L. Бистабильность и электрическая активность комплекса ва- кансия-два атома кислорода в кремнии. //ФТП, 2006, Т. 40, вıпуск 11, -С.1309-1316.
9. Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Особенности процессов радиационного дефекто-образования в кристаллах Si1-xGex. ФТП, Т.21. вып.3. (1987), -С. 562-565.
10. Помозов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., Абросимов Н.В., Шредер В., О природе полосı поглощения дивакансии 5560см−1 в Si1−xGex // ФТП. 2001. Т. 35. В. 8. -С. 927–931.