РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ, СТИМУЛИРОВАННЫЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКОЙ

Avtorlar

Gilt sózler: омический контакт, кремний, термическая обработка, внутренние механические напряжения, радиус кривизны

Annotaciya

Исследовано влияние термической обработки на величину внутренних механических напряжений в омических контактах к Si. ТО контактной структуры Au-Ti-n+Si привела к выпрямлению образца, а в контактной структуре Au-Ti-Pd2Si-р+Si к увеличению радиуса кривизны.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике. Микроэлектроника. -1982. Т.11.№2, -С.83-94.

2. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Под ред. В.А.Лабунова. -Минск: Наука и техника. 1992. –С.248.

3. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Капитанчук Л.М., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Коростинская Т.В., Атаубаева А.Б. Релаксационные явления в структурах Au-Ti-Pd-n+(p+)-Si стимулированные термоотжигом. Материалы международной научно-практической конференции «Структурная релаксация в твердых телах». Винница, Украина: 2009, 19-21 мая. –С.157-158.

4. Ottaviani G. Review of binary alloy formation by thin film interactions. J.Vac. Sci. Technol.-1979.-V.16.-N5.-P.1112-1119.

5. Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Гуцул А.В., Колесник Н.В., Геращенко С.И. Мощные кремниевые импульсные лавинно-пролетные диоды 8-мм диапазона. ТП СВЧ.-2009.-№1.-С.27-30.

6. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. -М.: «Мир».1986. –С.176.

7. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра. Аналитические обзоры. // Вестник РФФИ. 2003. № 4 (34). -С. 5-28.