TRIGONOMETRIYALIQ TEŃLEMELER DÚZIWDE QATNASATUǴIN AŃLATPALAR HÁM OLARDI TÚRLENDIRIW USILLARI

Avtorlar

Gilt sózler: trigonometry, trigonometric equations, trigonometric functions, formulas for adding the product of trigonometric functions, irrational, radian

Annotaciya

This article discusses, more widely studied expressions involved in the construction of trigonometric equations, and methods for their interpretation.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В., Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках – новый к формированию свойств материалов. Обзор // Физика и техника полупроводников. -Россия, 1998. Т.32. Вып 5. -С. 513-522.

2. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov K.S., Saparniyazova Z.M., and Tachilin S.A. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2011. Vol. 47, №. 5, -Р. 479-483.

3. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Тursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Semiconductors, 2021, Vol. 55, №. 6, -Р. 636–639.

4. Iliev Н.M., Tursunov M.O., Koveshnikov S.V., Z.B. Research of properties of silicon with binary nanoclusters with participation of Mn and Se atoms // Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020. Vol. 2, №. 2, -Р. 53-58.

5. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Куликов Г.С, Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Диффузионная профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода. // 1994. T. 28. вып. 1. -C.86-90.

6. Бабич М.Б., Белецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. // Киев. 1997.

7. Утамуродова Ш.Б., Эргашев Р.М., Матжонов Х.Ж. ИК-спектроскопия кремния, легированного оловам и марганцам. // Физика и полупроводников и микроэлектроника. -Тошкент: 2019. Т. 1. вып. 1. -С. 27-31

8. Kazuhisa Torigoe, Toshiaki Ono. Formation of thermal donor enhanced by oxygen precipitation in silicon crystal // Journal of Ap- plied Physics. 2020. Vol. 10, №. 045019, -Р. 1-5.

9. Bakhadirkhanov M.K., Iliev Kh.M., Tursunov M.O., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., Majitov M.Kh. Electrical Properties of Sili- con Doped with Manganese via High-Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2021. Vol. 57, №. 7, -Р. 655-662.

10. Ismailov K.А, Iliev X.M, Tursunov M.O, Ismaylov B.K. Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24, №. 3, -P. 255–260.