2D ЎЛЧАМЛИ p-n-ЎТИШ ФОТОТОКЛАРИ ВА ДИФФЕРЕНЦИАЛ ЎТКАЗУВЧАНЛИГИ

Avtorlar

  • Гулямов Г.

    Наманган муҳандислик-қурилиш институти

  • Дадамирзаев М.Ғ.

    Наманган муҳандислик-қурилиш институти

  • Қосимова М.О.

    Наманган муҳандислик-қурилиш институти

Gilt sózler: p-n–ўтиш, фототок, дифференциал ўтказувчанлик, вольт-ампер характеристика, ёруғлик

Annotaciya

2D ўлчамдаги p-n-ўтиш вольт-ампер характеристикасининг ёруғлик тўлқин узунлигига боғлиқлиги назарий томондан ўрганилган. Олинган натижалар тажриба натижалари билан солиштирилган. 3D ўлчамли p-n ўтиш дифференциал ўтказувчанлигига нисбатан 2D ўлчамли p-n ўтиш дифференциал ўтказувчанлиги катта бўлиши назарий томондан кўрсатиб берилган.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

4. Baugher, B., Churchill, H., Yang, Y. et al. Optoelectronic devices based on electrically tunable p–n diodes in a monolayer dichalcogenide. Nature Nanotech 9, 262–267 (2014). https://doi.org/10.1038/nnano.2014.25

5. Justin Boddison-Chouinard, Alex Bogan, Norman Fong, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Sergei Studenikin, Andrew Sachrajda, Marek Korkusinski, Abdulmenaf Altintas, Maciej Bieniek, Pawel Hawrylak, Adina Luican-Mayer, Louis Gaudreau. Gate controlled quantum dots in monolayer WSe2. Mesoscale and Nanoscale Physics. 1 Aug 2021.

6. Ferney A. Chaves, a Pedro C. Feijoo and David Jiménez. The 2D PN Junction Driven Out-of-Equilibrium. Nanoscale Adv., 2020, DOI: 10.1039/D0NA00267D.

7. Jariwala D, Sangwan V K, Late D J, Johns J E, Dravid V P, Marks T J, Lauhon L J and Hersam M C 2013 Appl. Phys. Lett. 102 173107

8. B. W. H. Baugher, H. O. H. Churchill, Y. Yang and P. JarilloHerrero, Optoelectronic devices based on electrically tunable p-n diodes in a monolayer dichalcogenide, Nat. Nanotechnol., 2014, 9, 262–267.

9. Gulyamov A.G., Usmanov M.A. "Effect of deformation on photocurrences in p-n transitions," Scientific Bulletin of Namangan State University: 2021 Vol.2: Iss.2, Article Available at: https://uzjournals.edu.uz/namdu/vol2/iss2/1

10. G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, M.O. Kosimova “Кучли электромагнит майдондаги p-n ўтиш дифференциал қаршилиги ва диффузион сиғимига деформация ва ёруғликнинг таъсири” //Нам.ДУ илмий ахбороти, Наманган, 2021, №6, 23-29-б

11. Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Kosimova M., Gulomkodirov B. “The nonideality coefficient of IVC p-n-junction in a strong microwave field when illuminated by light” //Journal of Scientific and Engineering Research, 2019, 6(7):241-246

12. Шамирзаев С.Х., Дадамирзаев М.Г., Қосимова М.О. Бир жинсли бўлмаган яримўтказгичли структураларнинг ўта юқори частотали майдондаги вольт-ампер характеристикаси. // БухДУ илмий ахбороти.- Бухоро: 2018, №4, 6-10-б.

13. Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Kosimova M., Uktamova M. "Thermophotoemf of hot charge carriers at p-n-junctions under exposure to a microwave field and light," Scientific-technical journal: 2020, Vol. 24: Iss. 5, Article13. Available at: https://uzjournals.edu.uz/ferpi/vol24/iss5/13

14. Dadamirzayev M.G., Qosimova M.O. The effect of the variation of the elektric field of the uhf waves on the cvc of the asymmetric p-n-junction //Theoretical & Applied Science. –USA, 2018, 10.15863/TAS. 401-405.

15. Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Қосимова М. “ЎЮЧ майдонда ёруғлик таъсиридаги p-n-ўтиш ВАХ ноидеаллик коэффициенти” // Наманган Давлат Университети илмий ахбороти. –Наманган: 2019, №10, 42-49-б.

16. Gulyamov G., Dadamirzaev G. Dadamirzaev M.G., Kosimova M. "The influence of the microwave field on the characteristics of the p-n junction," Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering: 2020, Vol. 2: Iss. 4, Article7. https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/7.

17. Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Kosimova M.O. “p-n ўтиш дифференчиал ўтказувшанлиги ва диффузия сиғимига кучли электромагнит майдон ва деформациянинг таъсири” //НамДУ илмий ахбороти. –Наманган: 2022, №1, 76-83-б.