ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ АТОМОВ НИКЕЛЯ В РЕШЁТКЕ КРЕМНИЯ

Avtorlar

Gilt sózler: кремний, аралашмали кластер, шаклланиш, диффузия, совитиш тезлиги, никель, наноструктура, диффузия коэффиценти, кластер зичлиги

Annotaciya

В работе обнаружено, что с ростом температуры отжига и скорости охлаждении наблюдается увеличение плотности и уменьшение размеров кластеров. Установлено, что с изменением температуры отжига от T=1100 0С до 1250 0С плотность кластеров увеличивается почти на 1-1,5 порядка, а их размер уменьшается в 56 раз. Нам кажется для получения кластеров с воспроизводимыми параметрами оптимальной скоростью охлаждения является 200300 0С/с.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. –М.: Ком Книга, 2006. -С.592.

2. Абдурахманов Б.А., Илиев Х.М., Сапрниязова З.М., Саттаров О.Э. Термодинамические условия формирования кластеров атомов никеля в решетке кремния. Узбекский физический журнал. –Ташкент: 2011. –В vol.13(№5). –С.341-344.

3. Зайнабидинов С. З., Тургунов Н. А. Некоторые закономерности распределения атомов основных и технологических примесей по объёму приципитата в монокристаллах кремния, легированного никелем. // Узб. Физ. жур. –Ташкент: 2003. –T. 5. №5-6. -C. 371-374.

4. Bakhadyrkhanov G.K.H. Mavlonov, S.B.Isamov, Kh.M.Iliev, K.S.Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin// Transport properties of silicon doped with manganese via low temperature diffusion. Neorganicheskie Materialy, 2011, Vol. 47, No 5, pp. 545-550.

5. Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Аюпов К.С., Исамов С.Б.. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца // ФТП, 2010, Т. 44, №9, -С. 1181-1184.

6. Bakhadyrkhanov M. K., Mavlyanov A. Sh., Sodikov U. Kh., Khakkulov M. K. // Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics. Applied Solar Energy, 2015, Volume 51, Issue4, pp. 258–261.

7. Saparniyazova Z.M., Bakhadyrkhanov M.K., Sattarov O.E., Iliev Kh.M. Ismailov K.A., Norkulov N., and Asanov D.Zh // Interaction between multiply charged manganese nanoclusters// Inorganic materials, Moscow 2012, Vol. 48, No. 4, pp. 325-328.

8. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках-новый подход к формированию свойств материалов. // Физика и техника полупроводников. -Санкт–Петербург: 1998. Т. 32. – С. 513-522.

9. Iliev Kh. M., Saparniyazova Z. M., Ismailov K. A., Sattarov O. E., Nigmonkhodzhaev S «Interaction of radiation defects with nickel atom clusters in silicon» Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2011. №5, pp. 12-14.