Кремний с нанокластерами атомов марганца – новый материал для тензодатчиков

Avtorlar

  • Х.М Илиев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • А.Б Камалов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • С.А Турсынбаев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Gilt sózler: кремний, марганец, тензосвойства, нанокластер, давление, температура, освещённость

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Проценко И.Г., Брусенцов Ю.А. Определение механических деформаций и напряжений полупроводниковыми тензочув- ствительными элементами // Вопросы современной науки и практики. Университет им. В.И. Вернадского. Россия, 2014, №1(50). -С. 272-280.

2. Дружинин А.А., Кутраков А.П., Лях-Кагуй Н.С., Вуйцик А.М. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, №4. -С. 23- 26.

3. Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Мавлянов Г.Х., Илиев Х.М., Исамов С.Б. Фотопроводимость кремния с нанокластерами атомов марганца // Микроэлектроника. –Москва: 2010, Т. 39. Вып. 6. -С. 426-429.

4. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G. Kh., Isamov S. B., Iliev Kh. M, Ayupov K.S., Saparniyazova Z. M., and Tachilin S. A. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low_Temperature Diffusion // Inorganic Materials. Russia. 2011, Vol. 47, No. 5, -Р. 479–483.

5. Баринов И.Н. Полупроводниковые тензорезистивные датчики давления на основе КНД_структуры // Компоненты и тех-

6. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенси- рованного Si . // Письма в ЖТФ. – 1998, - Т.24. №22. –С. 23-28.

7. Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К., Камилов И. К., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И. В. Влияние высокого давления на электросопротивление и изменение объема в ферромагнитных полупроводниках AIIBIV CV: Mn // Журнал Неорганической химии. - Москва: 2015, Т. 60. Вып. 8, -С. 1095-1099.

8. Бахадырханов М.К., Абдураимов А. Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЗН в кремнии, легиро- ванном марганцем. // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Т. 20. - Вып. 9. - С. 1561-1564.

9. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Фи- зика полупроводников и микроэлектронике. Научный журнал. 2019, том 1, выпуск 4. Издательство ООО «VNE- SHINVESTPROM». –Ташкент: DOI 10.37681/2181-9947-2019-4.

10. Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х. Тензорезистивный эффект кремнии с примесью олова при статическом и динамиче- ском давлениях. Письма в ЖТФ. 2003. Т.29. №3. -С. 24 - 28.