Моделирование и анализ тепловых процессов в кремниевых гетероструктурах при быстрой термической обработке

Mualliflar

  • Д.Ж Асанов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Kalit so‘zlar: кремниевые гетероструктуры, быстрая термическая обработка, импульсная фотонная обработка, тепловой баланс, силициды никеля, моделирование

Annotatsiya

В статье проведено моделирование и экспериментальное исследование тепловых процессов в кремниевых гетероструктурах Ni (5 ат. % Pt)/Si при импульсной фотонной обработке. Рассмотрены режимы адиабатического нагрева, теплового потока и теплового баланса. На основе анализа температурных зависимостей установлено, что при плотности энергии 255 Дж/см2 и длительности 1,8 с реализуется режим теплового баланса, обеспечивающий равномерный нагрев и образование фазы Ni Si. Показано, что легирование Ni платиной повышает стабильность силицидного слоя и снижает деформацию подложки.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. – Минск: «Наука и техника», 1992.

2. Вейко В.П., Метев С.М. Лазерные технологии в микроэлектронике. – София: «БАН», 1991.

3. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. – Минск: Издательский центр БГУ, 2004.

4. Кулагин Н.А. Теплофизика тонких плёнок и микроэлектронных структур. – Москва: «Радио и связь», 1998.

5. Voutsas A. T. et al. Modeling of rapid thermal processes in Si-based systems. // J. Appl. Phys. 85(10), 1999, – Р. 7441-7448.

6. Soref R., Liu S. Silicon photonics and thermal effects in microelectronics. // IEEE Trans. Electron Devices, 2007, 54(6), – Р. 1201-1210.

7. Маркевич М.И., Камалов А.Б., Асанов Д.Ж., Нажепова С.Р. Исследование элементного состава и фазовых превращений в системе Ni-V-Pt при стационарном отжиге. // Science and World, 2023, № 6(118), – С. 8-10.

8. Асанов Д.Ж., Маркевич М.И., Щербакова Е.Н. Импульсная фотонная обработка тонкоплёночных систем Si/Mg/Si/ситалл. Материалы XVI МНТК молодых учёных и студентов. БНТУ, – Минск: 2023, – С. 128-129.