Радиационное дефектообразование в кристаллах KCl

Авторы

  • И Нуритдинов

    Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан

  • М.А Муссаева

    Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан

  • Д.П Юлдашов

    Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан

  • Б.Т Аташов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Ключевые слова: хлорид калия (KCl), рентгеновское облучение, спектры поглощения, центры окраски

Аннотация

В работе представлены результаты исследования процессов радиационного дефектообразования в кристаллах KCl, облучённых рентгеновским и гамма-излучением. Показано, что F-центры формируются с первых этапов облучения и достигают насыщения при дозах около 100 рад. При дозах Dγ ≥ 10⁵ рад наблюдается появление полос поглощения, соответствующих I- и V-центрам, что свидетельствует о формировании новых структурных дефектов. Обсуждены механизмы их создания и стабилизации.

Библиографические ссылки

1. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Зинатне: – Рига: 1979.

2. Кудрявцева И.А., Василченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б. Образование и стабилизация F- центров после прямого создания автолокализованных экситонов в кристаллах KCL. // ФТТ, 1999, Т. 41, вып.3. – С. 433-447.

3. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. – Москва: «Наука», 1989.