Nikel atomlarini kiritish orqali polikristall kremniyning elektr-fizik xususiyatlarini yaxshilash
Авторы
Ключевые слова: поликристалл, никель, диффузия, кластер, кремний, примесный атом
Аннотация
Библиографические ссылки
1. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики. Физика и техника полупроводников. -Санкт-Петербург: Россия. 2004. Том 38, №.8, -С. 937-948.
2. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. –Москва: «ФИЗМАТГИЗ». 1961.-С. 264-288.
3. BakhadyrkhanovaM.K., IsamovS.B., KenzhaevZ.T., Koveshnikov S.V. Studying the Effect of Doping with Nickel on Silicon-Based Solar Cells with a Deep p – n -Junction. Technical Physics Letters, 2019, vol. 45, №. 10, -Р. 959–962.
4. Грибов Б.Г., Зиновьев К.В. Новые технологии получения поликристаллического кремния для солнечной энергетики. Издательство вузов, Электроника, -Т. 2, № 3, -С. 10-17.2008.
5. Fenning D.P., Zuschlag A.S., Bertoni M.I., Lai B., Hahn G., Buonassisi T. Improved iron gettering ofcontaminated multicrystalline silicon by high-temperature phosphorus diffusion, J. Appl. Phys. 113. 2013.
6. McHugo S.A., Thompson A.C., Mohammed A., Lamble G., Perichaud I., Martinuzzi S., Werner M., Rinio M.,Koch W., Hoefs H. U. and Haessler C. 2001. Nanometer-scale metal precipitates in multicrystalline silicon solarcells, Journal of Applied Physics, 89 (8), 4282-4288.
7. Ismaylov K.A., Kenjayev Z.T. The factors influencing to the efficiency using of photoconversions. // Vestnik,