Влияние давления на свойства мдп структур

Authors

  • Б.К Исмайлов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • А.К Бижанов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Р.А Аметов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • П.К Нурниязов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: MDS construction, hydrostatic pressure, Schottky diode

Abstract

The article investigated the effect of hydrostatic pressure on the relaxation characteristics of three-layer structures Al-n-Si - SiO-Al. It was found that, for 15÷20 min, a pressure of 8 kbar leads to a decrease in the integral density of the state surface without af- fecting the generation centers in the volume.

References

1. Примаченко В.Е., Кириллова С.И., Чернобай В.А., Венгер Э.Ф. Электронные состояния на Si-SiO граница (обзор). // Фи- зика полупроводников, Квантовая электроника и оптоэлектроника, 8 (4), п. 38-54. 2005.

2. Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е., Гянджа В.В. Влияние встроенных колебаний заряда на электрофизические характери- стики МДП-констукцию // Вестник ВГУ, Сер. Физика, Математика. № 1, -С.. 75- 79. 2005.

3. Озаренко А.В., Брусенцов Ю.А., Королев А.П. Особенности тензорезистивного эффекта в констукцие металл-диэлектрик- полупроводник в условиях статического и неоднородная деформация. // Вестник ТГТУ, 14 (1), п. 158-163, 2008.

4. Климчицкая Г.Л., Федорцов А.Б., Чуркин Ю.В., Юрова В.А. Казимир Форс давление на изолирующий слой в структурах металл-изолятор-полупроводник. // Физика твердого тела State, 53 (9), p. 1921-1926, 2011.

5. Неизвестный И.Г., Гридчин А.А., Применение напряженный кремний в МОП-транзисторах и КМОП структуры. // Рос- сийская микроэлектроника, 38 (2), -С. 71- 86. 2009.

6. Власов С.И., Маматкаримов А.А., Овсянников А.В., Сапаров Ф.А. Влияние давления на создание микропространствен- ных включений на поверхностях металл-полупроводниковых структур, в 9-м совместном Узбекско-Корейский симпозиум. Нанонаука: проблемы и перспективы. Квантовые функциональные материалы и Приборы. Рефераты. -С. 29, 2010.

7. Cheng-Yi Peng, Ying-Jhe Yang, Yen-Chun Fu, Ching-Fang Huang, Shu Tong Chang, Chee Wee Liu, Effects of applied mechani- cal uniaxial and biaxial tensile strain on the flat band voltage of (001), (110), and (111) metal-oxide-silicon capacitors // IEEE Trans. Electron Dev. 56(8), p. 1736-1745, 2009.

8. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Каримов И.Н. Влияние никеля и γ-облучения на плотность поверхностные состояния. // Физ. Техн. Poluprov. 20 (7), п. 1348. 1986.

9. Гайворонский А.Т., Яковлев Ю.И., Береснев Б.И., Булычев Д.K., Гидростат Л.Г. // Приборы и Техника Эксперимента, № 5, -С. 232, 1981.

10. Берман Л.С., Власов С.И., Морозы В.Ф. Идентификация остаточных глубоких примесей в полупроводниковые приборы, использующие переходные процессы спектроскопия // Известия АН СССР. Многосерийный телефильм физика, 42 (6), -С. 1175- 1178, 1978.