INFLUENCE OF THERMAL TREATMENT ON THE ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SILICON STRUCTURES WITH RARE-EARTH ELEMENTS

Authors

  • Oralbay Naurizbaevich Yusupov

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: semiconductor, silicon, n-type silicon, the influence of thermal effects, electrophysical properties, structures with Sm, Gd, and Yb during growth, silicon during heat treatments

Abstract

The article to study the mechanisms of electrophysical processes, deep level formation, and interaction with technological impurities (oxygen and carbon) occurring during high-temperature heat treatment in silicon monocrystals doped with rare earth elements such as samarium, gadolinium, and itterbium. Samples grown by the Chohralski method and doped by diffusion were studied using neutron activation analysis, IR spectroscopy, isothermal capacitance relaxation, and four-probe methods.

References

1. Милнс Л. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – Москва: «Мир», 1977.

2. Бургуэн Ж. Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. – Москва: «Мир», 1984.

3. Соболев Н.А. Кремний, легированный эрбием - новый полупроводниковый материал для оптоэлектроники. – Москва: // Российский химический журнал, 2001, 5-6(XLV). – С. 95-101.

4. Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Особенности поведения в полях ядерной реакции кремния, легированного редкоземельными элементами. В. кн. Радиационное эффекты в твердых телах. – Киев: «Наукова думка», 1977. – С. 88-102.

5. Карпов Ю.А., Петров В.В., Просолович В.С. Фотопроводимость и электрические свойства Si, облученного γ-квантами 60Co. – Санкт-Петербург: // Физика и техника полупроводников, 1982, 9(16). – С.1676-1678.

6. Назыров Д.Э., Регель А.Р., Куликов Г.С. Кремний, легированный редкоземельными элементами: Препринт ЛФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР №1122. – Л.: 1987.

7. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. – Москва: «Физматлит», 2004.

8. Libertino S. The effects of oxygen and defects on the deep-level properties of Er in crystalline Si. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. №6. – P. 3867-3873.

9. Wong E., Liu H., Man Sh.Q. et al. Erbium doping in silicon by thermal in diffusion. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998, Vol. 37, № 6B. – P. 3669-3672.

10. Назыров Д.Э. Геттерирование золота самарием и гадолинием в кремнии. // Электронная обработка материалов, 2007, № 3(245). – С. 77–82.

11. Назыров Д.Э., Базарбаев М.И., Иминов А.А. Диффузия иттрия в кремнии. // Физика и техника полупроводников. 2006, Т. 40, Вып. 7. – С. 788-789.

12. Назыров Д.Э. Диффузия иттербия в кремнии. // Физика и техника полупроводников. 2003, Т. 37, Вып. 9. – С. 1056-1057.

13. Назыров Д.Э., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. Диффузия эрбия и тулия в кремнии. // Физика и техника полупроводников, 1991, Т. 25, Вып. 9. – С. 788-789.

14. Зайнабидинов С., Назыров Д.Э. Диффузия, растворимость и электрические свойства скандия и празеодима в кремнии. // Изв. вузов. Физика, 2007, № 1. – С. 75-77.