ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЕ РАСТЕКАНИЯ ОТ ДИАМЕТР МИКРОПЛАЗМЫ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ СОПРОТИВЛЕНОЕ РАСТЕКАНИЯ МИКРОПЛАЗМ И ЕГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РЯДУ ТЕЙЛОРА И РЕШЕНИЯ СИСТЕМ ФУНКЦИИ МЕТОДОМ КОШИ

Authors

Keywords: gallium arsenide (GaAs), microplasma, differential resistance of microplasma, spreading resistance, microplasma diameter, concentration of free charge carriers

Abstract

Taking into account the three-dimensional distribution of the electric field of moving charge carriers, we accurately formed the spreading resistance. A comparison of theoretical and experimental values showed that the proposed model is in good agreement with the exact parameters of the microplasma, the studies were carried out on the basis of the microplasma characterization method. The calculation of the range of spreading resistances proposed in this work makes it possible to refine the equations for the microplasma diameter.

References

1. Конакова Р.В, Кордош П., Тхорик Ю.А., Файнберг Ф.И., Штофаник Ф. Прогнозирование надёжности полупроводниковых лавинных диодов. -Киев: «Наукова думка», 1986, -С.188.

2. Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В. Микроплазмы в идеально однородных p – i – n структурах. //ФТП. 1990. Т.24, в 4, -С. 724 – 730.

3. Банная В.Ф., Никитина Е.В. Электрический пробой в чистом n- и p- Si. //ФТП. 2018. Т. 52, в3, -С.291-294.

4. Грехов В.И., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниковых, - Л.: «Энергия», 1980. -С.152.

5. Гярулайтие Д.А., Намаюнас А.М., Тамашявичене З.Н., Тамашявичюс А.В. Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии. //ФТП.1990. Т 24, в 3, -С. 564-565.

6. Викулин И.М., Новыков Л.Н., Прохоров В.А. Влияние облучения нейтронами на характеристики микроплазменного пробоя. // ФТП.1983, Т17, в6, -С.1054 – 1059.

7. Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Марченко И.Г. Характеристики электронно облученных p – n переходов в области лавинного пробоя. //ФТП. 1994. Т28, в3, -С.478-481.

8. Mejnture Thery of microplasma instability in Silicon, J. Appl. phys., 1961, v.32, №6, -P. 31-43.

9. Василевский К.В. Расчёт динамических характеристик лавинно – пролетного диода на карбиде кремния. // ФТП.1992. Т26, в10, -С. 1775-1782.

10. Шашкина А.С., Ханин С.Д. Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя p – n перехода//ФТП.2019, Т53, в 6, -С.850-855.

11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М.:, «Радио и связь» 1984, т.1, -С.455. Т.2, -С.455.

12. Файзуллаев В. А. Назарий физиканинг математик усуллари. –Тошкент: