ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА

Authors

  • А.Б. Камалов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • М.А. Жалелов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • С.А. Турсынбаев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: semiconductor, pressure, nanocluster, strain gauge, manganese, diffusion

Abstract

It was found that, in contrast to conventional semiconductor materials, silicon with nanoclusters of manganese atoms exhibits a high tens sensitivity at room temperature, which is difficult to explain by the existing theory. The high tens sensitivity in the obtained material is associated with the changing of state of nanoclusters of manganese atoms in the presence of pressure. These data show that silicon with nanoclusters of manganese atoms can serve as a promising material for creating a new class of strain gauges. By controlling the concentration and charge state of nanoclusters of manganese atoms, one can change the tens sensitivity of the obtained material.

References

1. Проценко И.Г, Брусенцов Ю.А. Определение механических деформаций и напряжений полупроводниковыми тензочувствительными элементами. // Вопросы современной науки и практики. Университет им. В.И. Вернадского. Россия, 2014. № 1 (50). -С. 272-280.

2. Турсынбаев С.А. Влияние температуры на тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике. II Международная научная конференция. 19-20 ноября 2021. -С. 195-198.

3. Турсынбаев С.А. Нанокластерли кремнийнинг доимий босим ва ўзгарувчан электр майдони таъсирида тензоэлектрик хусусиятлари. “Яримўтказгичлар физикаси, микро- ва наноэлектрониканинг фундаментал ва амалий муаммолари” I-Халхаро анжуман. –Ташкент: 2021, 28-29-октябрь. -С. 150.

4. Isamov S.B., Tursinbaev S.A., Isakov B.O., Movlonov N.T., Bozorov F.R. Nanoklasterli yarim o’tkazgichlarga bosimning ta’sirini o’rganuvchi qurilma yaratish. Ферганский государственный университет. Международная научная конференция. “Тенденции развития физики конденсированных сред”. –Фергана: 25 май, 2021, -С.32-35.

5. Турсынбаев С.А. Тензотермические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. Материалы международной конференции «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». –Фергана: 2020, -С. 204-206..

6. Турсынбаев С.А. Тензочувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца. Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники, “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике” сборник докладов международной научной конференции, 2020-йил 9-10-октябрь, -С.176-179.

7. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами // Физика полупроводников и микроэлектронике. 2019, том 1, выпуск 4. DOI 10.37681 / 2181 – 9947, 2019. 4.

8. Илиев Х.М., Камалов А.Б., Турсынбаев С.А. Кремний с нанокластерами атомов марганца – новый материал для тензодатчиков. // Наука и общество. 2020, №4 -С.7-9

9. Kamalov A.B., Tursinbaev S.A., Iliyev Kh.M., Shoabdurakhimova M.M. Influence of lighting on tenso-sensitivity of silicon doped with manganese. Scientific-technical journal. 2020. V.3, №5. -P. 45-47

10. Muratov A.S., Kamalov А.B., Tursinbaev S.A. Installations for studying the strain properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms. // Science and Education in Karakalpakstan. 2021. №2 (17). С. 4-7.