РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ, СТИМУЛИРОВАННЫЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКОЙ

Authors

Keywords: ohmic contact, silicon, heat treatment, internal mechanical stresses, radius of curvature

Abstract

The effect of heat treatment on the magnitude of internal mechanical stresses in ohmic contacts to Si has been studied. Heat treatment of the Au-Ti-n+-Si contact structure led to sample straightening and in the Au-Ti-Pd2Si-p+-Si contact structure to an increase in the radius of curvature.

References

1. Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике. Микроэлектроника. -1982. Т.11.№2, -С.83-94.

2. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Под ред. В.А.Лабунова. -Минск: Наука и техника. 1992. –С.248.

3. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Капитанчук Л.М., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Коростинская Т.В., Атаубаева А.Б. Релаксационные явления в структурах Au-Ti-Pd-n+(p+)-Si стимулированные термоотжигом. Материалы международной научно-практической конференции «Структурная релаксация в твердых телах». Винница, Украина: 2009, 19-21 мая. –С.157-158.

4. Ottaviani G. Review of binary alloy formation by thin film interactions. J.Vac. Sci. Technol.-1979.-V.16.-N5.-P.1112-1119.

5. Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Гуцул А.В., Колесник Н.В., Геращенко С.И. Мощные кремниевые импульсные лавинно-пролетные диоды 8-мм диапазона. ТП СВЧ.-2009.-№1.-С.27-30.

6. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. -М.: «Мир».1986. –С.176.

7. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра. Аналитические обзоры. // Вестник РФФИ. 2003. № 4 (34). -С. 5-28.