МАРГАНЕЦ ОЛИЙ СИЛИЦИДИ АСОСИДА САМАРАДОРЛИГИ ЮҚОРИ ТЕРМОБАТАРЕЯЛАРНИ ЯРАТИШ ИМКОНИЯТЛАРИ

Authors

  • Н.Ф. Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • М.М. Шоабдурахимова

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Ф.Э. Уракова

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • А. Хусанов

    Қўқон давлат педагогика институти

  • Қ.Қ. Қурбоналиев

    Қўқон давлат педагогика институти

Keywords: manganese, higher silicide, thin layer, thermo element, thermopile, photo detector, silicon, structure, technology, single crystal

Abstract

On the basis of research on parameters of the higher manganese layer silicide it was established that current carriers in the formed manganese silicide are holes and their concentration is equal to , mobility of wound , which corresponds to the parameters and characteristics of existing thermal batteries, as well as determined by the value of its thermal coefficient of EMF is in the range of α=290÷360 μV/K.

References

1. Рисбаев А. Тонкие наноразмерные силицидные плёнки: получение и свойства. Монография. -Ташкент: 2013, -С.210.

2. Бекпулатов И.Р., Хайриддинов Б.Э., Хужаниязов Ж.Б. Структура и физические свойства наноразмерных пленок силицидов металлов. Монография. –Ташкент: «Adad plyus», 2017. -С. 230.

3. Мьюрака Ш. Силициды для СБНС. –Москва: «Мир», 1986. -С. 176.

4. Самсанов Г.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металов четвёртого период. –Москва: Металлургия, 1971.

5. Quantometers of solar IR radiation based on silicon with multicharged nanoclusters of magnesium atoms. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F, Tachilin S.A. Applied Solar Energy 2012, 48 (1), -Р.55-57.

6. Kamilov T.S., Klechkovskaya V.V., Orekhov A.S., Dzhuraev Sh.Kh., Kasymov A.S. Influence of structural defects in silicon on formation of photosensitive heterostructures Mn4Si7-Si-Mn4Si7 and Mn4Si7-Si-M. // Eurasian Journal of Physics and Functional Materials, Vol. 2 (4), -Kazakstan: 2019. -P. 360-366.

7. Anamalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F, Tursunov M.O. Semiconductor 2021, 55 (6), -Р. 42-545.

8. Kamilov T.S., Klechkovskaya V.V., Orekhov A.S., Igamov B.D., Bekpulatov I.R. Тhе Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si(Mn)–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si(Mn)–M Heterostructures. // Applied Solar Energy, 2019, Vol. 55, № 6, -P. 380-384.

9. Камилов Т.С., Клечковская В.В., Шарипов Б.З., Эрнест И.В., Зайцев В.К. Электрические и фотоэлектрические свойства четырёхфазных структур на основе кремния и силицидов марганца. –Ташкент: «MERIYUS», 2014, -С.180.

10. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломец Н.В. Плёночные термоэлементы: физика и приминение. –Москва: “Наука”, 1985. -С.176.