ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ НИКЕЛЕМ И МАРГАНЦЕМ НА КОНЦЕНТРАЦИЮ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ

Authors

  • Х.М. Илиев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • М.О. Турсунов

    Термезский государственный университет

  • С.Б. Исамов

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • С.В. Ковешников

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Keywords: monocrystal, silicon, diffusion, nickel, manganese, Fure-spectrometer

Abstract

It was shown that the electrical properties of silicon containing binary nanocomplexes differ from the properties of conventional semiconductors, including silicon doped with various impurity atoms, with optical and electrical properties. It has been reported that nanocomplexes, which form silicon when manganese and nickel are introduced at high temperatures, affect optically active oxygen. The results obtained show that doping of manganese and nickel contributes to a decrease in the concentration of optically active oxygen.

References

1. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В., Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках – новый к формированию свойств материалов. Обзор // Физика и техника полупроводников. -Россия, 1998. Т.32. Вып 5. -С. 513-522.

2. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov K.S., Saparniyazova Z.M., and Tachilin S.A. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2011. Vol. 47, №. 5, -Р. 479-483.

3. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Тursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Semiconductors, 2021, Vol. 55, №. 6, -Р. 636–639.

4. Iliev Н.M., Tursunov M.O., Koveshnikov S.V., Z.B. Research of properties of silicon with binary nanoclusters with participation of Mn and Se atoms // Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020. Vol. 2, №. 2, -Р. 53-58.

5. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Куликов Г.С, Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Диффузионная профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода. // 1994. T. 28. вып. 1. -C.86-90.

6. Бабич М.Б., Белецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. // Киев. 1997.

7. Утамуродова Ш.Б., Эргашев Р.М., Матжонов Х.Ж. ИК-спектроскопия кремния, легированного оловам и марганцам. // Физика и полупроводников и микроэлектроника. -Тошкент: 2019. Т. 1. вып. 1. -С. 27-31

8. Kazuhisa Torigoe, Toshiaki Ono. Formation of thermal donor enhanced by oxygen precipitation in silicon crystal // Journal of Applied Physics. 2020. Vol. 10, №. 045019, -Р. 1-5.

9. Bakhadirkhanov M.K., Iliev Kh.M., Tursunov M.O., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., Majitov M.Kh. Electrical Properties of Silicon Doped with Manganese via High-Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2021. Vol. 57, №. 7, -Р. 655-662.

10. Ismailov K.А, Iliev X.M, Tursunov M.O, Ismaylov B.K. Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24, №. 3, -P. 255–260.