КРЕМНИЙ КРИСТАЛЛ ПАНЖАРАСИДА НИКЕЛЬ КИРИШМА АТОМЛАРИНИНГ ГЕТТЕРЛОВЧИ ХОССАЛАРИ

Authors

  • К.А. Исмайлов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Х.У. Камалов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Б.К. Исмайлов

    Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети

Keywords: gettering, silicon, nickel, diffusion, recombination centers

Abstract

This article considers that by forming clusters of impurity nickel atoms in the crystal lattice of silicon, it is possible to realize gettering of various uncontrolling impurities, as well as oxygen atoms stimulating the generation of recombination centers and thermal defects.

References

1. Астащенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии. // Доклады БГУИР. 2008, Т. 38. № 8, -С. 37-43.

2. Абдурахманов К.П., Далиев Х.С., Куликов Г.С., Лебедев А.А., Утамарадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Локальные геттерирование железа слоем металла, напыленного на поверхность кремния. // ФТП. 1993, Т. 27. вып 7. с. 1222-1224.

3. Назыров Д.Э. Геттерирование золота самарием и гадолинием в кремнии. // Электронная обработка материалов 2007, №3, -С. 77-82.

4. Амальская Р.М., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Суханов В.Л. Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансии. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 6. -С. 1004-1007.

5. Бохан Ю.И., Каменков В.С., Толочко Н.К. Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 2. -С. 278-282.

6. Куликов А.В., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния. // Письма ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 13. -С. 27-31.

7. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Дальнодействующее геттерирование микродефектов в монокристаллахкремния при формировании на их поверхности слоев пористого кремния и ионном облучении // Письма ЖТФ.1999. Т. 25. Вып. 8. -С. 50-54.