ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ АТОМОВ НИКЕЛЯ В РЕШЁТКЕ КРЕМНИЯ

Authors

Keywords: silicon, impurity cluster, formation, diffusion, cooling rate, nickel, nanostructure, diffusion coefficient, cluster density

Abstract

In this work, it was found that with an increase in the annealing temperature and cooling rate, in the density and a decrease in the size of clusters is observed. It has been found that with a change in the annealing temperature from T=1100 0С to 1250 0С, the density of clusters increases by almost 1-1,5 orders of magnitude, and their size decreases 56 times. It seems to us that for obtaining clusters with reproducible parameters the optimal cooling rate is 200300 0С/с.

References

1. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. –М.: Ком Книга, 2006. -С.592.

2. Абдурахманов Б.А., Илиев Х.М., Сапрниязова З.М., Саттаров О.Э. Термодинамические условия формирования кластеров атомов никеля в решетке кремния. Узбекский физический журнал. –Ташкент: 2011. –В vol.13(№5). –С.341-344.

3. Зайнабидинов С. З., Тургунов Н. А. Некоторые закономерности распределения атомов основных и технологических примесей по объёму приципитата в монокристаллах кремния, легированного никелем. // Узб. Физ. жур. –Ташкент: 2003. –T. 5. №5-6. -C. 371-374.

4. Bakhadyrkhanov G.K.H. Mavlonov, S.B.Isamov, Kh.M.Iliev, K.S.Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin// Transport properties of silicon doped with manganese via low temperature diffusion. Neorganicheskie Materialy, 2011, Vol. 47, No 5, pp. 545-550.

5. Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Аюпов К.С., Исамов С.Б.. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца // ФТП, 2010, Т. 44, №9, -С. 1181-1184.

6. Bakhadyrkhanov M. K., Mavlyanov A. Sh., Sodikov U. Kh., Khakkulov M. K. // Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics. Applied Solar Energy, 2015, Volume 51, Issue4, pp. 258–261.

7. Saparniyazova Z.M., Bakhadyrkhanov M.K., Sattarov O.E., Iliev Kh.M. Ismailov K.A., Norkulov N., and Asanov D.Zh // Interaction between multiply charged manganese nanoclusters// Inorganic materials, Moscow 2012, Vol. 48, No. 4, pp. 325-328.

8. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках-новый подход к формированию свойств материалов. // Физика и техника полупроводников. -Санкт–Петербург: 1998. Т. 32. – С. 513-522.

9. Iliev Kh. M., Saparniyazova Z. M., Ismailov K. A., Sattarov O. E., Nigmonkhodzhaev S «Interaction of radiation defects with nickel atom clusters in silicon» Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2011. №5, pp. 12-14.