КРЕМНИЙ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА – НОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕНЗОДАТЧИКОВ

Authors

  • С.А. Турсынбаев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: silicon, manganese, tensorial properties, nanoclaster, pressure, temperature, illumination

Abstract

The article presents the data that tensorial properties of silicon with nanoclasters of manganese atoms differ from that of ordinary semiconductors, including from that of silicon doped with different impurity atoms. It is found that increase of temperature and illumination substantially increase tensorial sensitivity of the material. The obtained results are explained by the widening of energetic spectrum in both nanoclasters (quantum dots) and formed minizones in the material.

References

1. Проценко И.Г., Брусенцов Ю.А. Определение механических деформаций и напряжений полупроводниковыми тензочувствительными элементами // Вопросы современной науки и практики. Университет им. В.И. Вернадского. Россия, 2014, №1(50). -С. 272-280.

2. Дружинин А.А., Кутраков А.П., Лях-Кагуй Н.С., Вуйцик А.М. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, №4. -С. 23-26.

3. Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Мавлянов Г.Х., Илиев Х.М., Исамов С.Б. Фотопроводимость кремния с нанокластерами атомов марганца // Микроэлектроника. –Москва: 2010, Т. 39. Вып. 6. -С. 426-429.

4. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G. Kh., Isamov S. B., Iliev Kh. M, Ayupov K.S., Saparniyazova Z. M., and Tachilin S. A. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low_Temperature Diffusion // Inorganic Materials. Russia. 2011, Vol. 47, No. 5, -Р. 479–483.

5. Баринов И.Н. Полупроводниковые тензорезистивные датчики давления на основе КНД_структуры // Компоненты и технологии. –Москва: 2009, № 5, -С. 12-15.

6. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si . // Письма в ЖТФ. – 1998, - Т.24. №22. –С. 23-28.

7. Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К., Камилов И. К., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И. В. Влияние высокого давления на электросопротивление и изменение объема в ферромагнитных полупроводниках AIIBIV CV: Mn // Журнал Неорганической химии. -Москва: 2015, Т. 60. Вып. 8, -С. 1095-1099.

8. Бахадырханов М.К., Абдураимов А. Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЗН в кремнии, легированном марганцем. // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Т. 20. - Вып. 9. - С. 1561-1564.

9. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектронике. Научный журнал. 2019, том 1, выпуск 4. Издательство ООО «VNESHINVESTPROM». –Ташкент: DOI 10.37681/2181-9947-2019-4.

10. Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х. Тензорезистивный эффект кремнии с примесью олова при статическом и динамическом давлениях. Письма в ЖТФ. 2003. Т.29. №3. -С. 24 - 28.