ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА СВОЙСТВА МДП СТРУКТУР

Authors

  • Б.К. Исмайлов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Р.А. Аметов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • П.К. Нурниязов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: MDS construction, hydrostatic pressure, Schottky diode

Abstract

The article investigated the effect of hydrostatic pressure on the relaxation characteristics of three-layer structures Al-n-Si -SiO2-Al. It was found that, for 15÷20 min, a pressure of 8 kbar leads to a decrease in the integral density of the state surface without affecting the generation centers in the volume.

References

1. Примаченко В.Е., Кириллова С.И., Чернобай В.А., Венгер Э.Ф. Электронные состояния на Si-SiO2 граница (обзор). // Физика полупроводников, Квантовая электроника и оптоэлектроника, 8 (4), п. 38-54. 2005.

2. Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е., Гянджа В.В. Влияние встроенных колебаний заряда на электрофизические характеристики МДП-констукцию // Вестник ВГУ, Сер. Физика, Математика. № 1, -С.. 75- 79. 2005.

3. Озаренко А.В., Брусенцов Ю.А., Королев А.П. Особенности тензорезистивного эффекта в констукцие металл-диэлектрик-полупроводник в условиях статического и неоднородная деформация. // Вестник ТГТУ, 14 (1), п. 158-163, 2008.

4. Климчицкая Г.Л., Федорцов А.Б., Чуркин Ю.В., Юрова В.А. Казимир Форс давление на изолирующий слой в структурах металл-изолятор-полупроводник. // Физика твердого тела State, 53 (9), p. 1921-1926, 2011.

5. Неизвестный И.Г., Гридчин А.А., Применение напряженный кремний в МОП-транзисторах и КМОП структуры. // Российская микроэлектроника, 38 (2), -С. 71- 86. 2009.

6. Власов С.И., Маматкаримов А.А., Овсянников А.В., Сапаров Ф.А. Влияние давления на создание микропространственных включений на поверхностях металл-полупроводниковых структур, в 9-м совместном Узбекско-Корейский симпозиум. Нанонаука: проблемы и перспективы. Квантовые функциональные материалы и Приборы. Рефераты. -С. 29, 2010.

7. Cheng-Yi Peng, Ying-Jhe Yang, Yen-Chun Fu, Ching-Fang Huang, Shu Tong Chang, Chee Wee Liu, Effects of applied mechanical uniaxial and biaxial tensile strain on the flat band voltage of (001), (110), and (111) metal-oxide-siliconcapacitors // IEEE Trans. Electron Dev. 56(8), p. 1736-1745, 2009.

8. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Каримов И.Н. Влияние никеля и γ-облучения на плотность поверхностные состояния. // Физ. Техн. Poluprov. 20 (7), п. 1348. 1986.

9. Гайворонский А.Т., Яковлев Ю.И., Береснев Б.И., Булычев Д.K., Гидростат Л.Г. // Приборы и Техника Эксперимента, № 5, -С. 232, 1981.

10. Берман Л.С., Власов С.И., Морозы В.Ф. Идентификация остаточных глубоких примесей в полупроводниковые приборы, использующие переходные процессы спектроскопия // Известия АН СССР. Многосерийный телефильм физика, 42 (6), -С. 1175-1178, 1978.