ВЛИЯНИЕ БАРИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК НА СВОЙСТВА СТРУКТУР Al - SiO2 –n-Si

Authors

Keywords: silicon, nickel, microelectronics, relaxation, diode, photoconductivity, imperfect structures

Abstract

The article is devoted to the study of influences of comprehensive hydrostatical compression on the closeness of the electronic state, non communicative on the interphase border of section of Si-SiO2.

References

1. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. – Москва: Энергоатомиздат, 1988. –С. 256.

2. Чистов Ю.С., Сыноров В.Ф. Физика МДП-структур. –Воронеж: Издательство ВГУ, 1989. – С. 224.

3. Барабан А.П., Булавинов В.В, Конорв П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. – Ленинград: ЛГУ. 1988, -С. 302.

4. Меньшикова Т.Г. и др. Влияние ионизирующего излучения на планарно-неоднородные МДП структуры. Электроника и информатика. Материалы международной научно-технической конференции. –Москва: 2005. ч.1, -С.139.

5. Левин М.Р., Татаринцев А.В., Иванков Ю.В. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП структуру. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002, т. 4, № 3, -С.195-202.

6. Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е., Ганжа В.В. Влияние флуктуаций встроенного заряда на электрофизические характеристики МДП структур. // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика, 2005, № 1.

7. Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO2 при спектроскопии границы раздела кремний-окисел. // ФТП, 1998. т. 32, в. 12. -С. 37-44.

8. Vlasov S.I., Ovsyannikov A.V., Ismailov B.K., Kuchkarov B.H. Effect of presure on the properties of Al-SiO2-n-Si structures.- Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics. 2012. v. 5. № 2. p.166-169.

9. Власов С.И., Исмаилов Б.К., Кучкаров Б.Х. Влияние температуры оплавления стекла на параметры границы раздела Si–стекло. Материалы международной научно-технической конференции. Фундаментальные и прикладные проблемы физики. Часть 1. –Саранск: 28-30 мая 2012, -С.88-90.

10. Власов С.И., Овсянников А.В., Исмаилов Б.К., Кучкаров Б.Х. Влияние ультразвуковой обработки на скорость формирования заряда инверсионного слоя в структурах металл-стекло-полупроводник. Материалы международной научно-практической конференции Структурная релаксация в твердых телах. –Винница: 29-31 мая. 2012, -С. 234-236.

11. Власов С.И., Кучкаров Б.Х., Исмаилов Б.К. Влияние ультразвукового воздействия на свойства структур металл-стекло-полупроводник. // Вестник НУУз. 2013, № 2. -С.16-18 .

12. Власов С.И., Эргашева М.А., Адылов Т.П. Влияние давления на свойства границы раздела Si - стекло. // Письма в ЖТФ. 2005, т. 31, в. 10, -С. 83-87.

13. Vlasov S.I., Saparov F.A., Ismailov K.A. “Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. -Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics. 2010, v. 13. № 4. p. 363-365.

14. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Насиров А.А. Неравновесные процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик. –Ташкент: Университет. 1995. –С 112.

15. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Каримов И.Н. Влияние никеля и - Γ облучения на плотность поверхностных состояний. // ФТП, 1986. т. 20, в.7, -С.1348.