ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ДЕГРАДАЦИИ И НАДЁЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. -Киев: «Наукова думка», 1983, -С. 304.

2. Венгер Е.Ф., Грендел М., Данишка В., Конакова Р.В. и др. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах. -Киев: «Феникс», 1994, -С. 244.

3. Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Коротченков Г.С. и др. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл –InP и металл –GaAs. -Киев: 1999 -С. 233.

4. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. -М.: «Металлургия», 1984. -С. 256.

5. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация полупроводниковых материалов и приборов. –Кишенев: «Штиинца», 1978. –С.220.

6. Наумова В.П., Черноусов Р.П. Деградация инжекционных лазеров // Зарубежная электроная техника. 1974. N20. –С.3-44

7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: «Металлургия». 1985. – С.160.

8. Конакова Р.В., Кордош П., Тхорик Ю.А., Файнберг В.И., Штофаник Ф. Прогнозирование надёжности полупроводниковых лавинных диодов. –Киев: «Наукова думка», 1986. –С. 188.

9. Конакова Р.В., Матвеева Л.А., Солдатенко Н.Н., Тхорик Ю.А. Влияние механических напряжений на электрические параметры лавинно-пролётных гетеродиодов. Микроэлектроника. 1979, т.8, № 4. -С. 346-350.

10. Птащенко А.А. Деградация светоизлучающих диодов: (Обзор)- ЖПС, 1980. т.33, № 5. –С.781-803.

11. Конакова Р.В., Тхорик Ю.А. Влияние структурных дефектов в арсениде галлия на деградацию и надёжность ИМРАТТ-диодов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1983. Вып .3. – С.22-30

12. Исмайлов К.А. Сильнополевые и радиационные эффекты в арсенидгаллиевых приборных структурах. Автореферат докторской диссертации. -Ташкент: 1995. -С. 24.

13. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. – Москва: Лайт.Лтд., 2000. – С. 288.

14.Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. Физическая природа деградации светодиодов и полупроводниковых лазеров. ЖПС. 1983. т.38, № 3. -С. 371-382.

15. Ленов Н.Н., Ковшиков Е.К. Влияние механических напряжений, возникающих на сборочных операциях, на качество и надёжность микросхем // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1987. Вып.3. -С. 39-42.

16. Кандидова Л.А., Филатов М.Ю. Анализ причин отказов кремниевых ЛПД // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1982. Вып. 1. -С. 56-59.

17. Конакова Р.В., Мельников Г.Д., Тхорик Ю.А., Шварц Ю.М. Влияние структурных дефектов на развитие лавинного пробоя в гетеродиодах Ge-GaAs и диодах с барьером Шоттки Cr-GaAs. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1978. Вып. 28. -С. 67-69.

18. Vasilevskaya V.N., Konakova R.V., Melnikov G.D. et. al. Influence of interfacial structural defects on the development of avalanche breakdown in heterojunctions / Thin Solid Films. 1978. V.55. N.2. –P. 289-291.

19. Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектронике. –М.: «Металлургия», 1978. -С. 272.

20. Исмайлов К.А. «Влияние дефектов структуры на характеристики полупроводниковых приборов».- Материалы тезисы докладов. - Андижон: 23-24 ноябрь. 2004. -С. 3-4.

21. Исмайлов К.А., Бижанов Е.К. Деградационные явления в арсенидгаллиевых приборных структурах. //Узбекский физический журнал. 2008, №6, -С. 393-400.

22. Исмайлов К.А., Бижанов Е.К. Физические причины деградации арсенидгаллиевых лавинных диодов. – ДАН РУз. Математика, технические науки естествознание. 2011, № 5. -C. 36-38.

23. Belyaev A.E., Boltovets N.S., Venger E.F., Konakova R.V., Kudrik Ya.Ya., Milenin V.V., Milenin G.V. Physico-technological aspects of degradation of silicon micro-wave diodes. – Kiev: «Akademperiodika», 2011. – p.182.